FF75R12RT4
1200 V 75 A 双 IGBT 模块
特征描述
提高工作温度Tvj op
低开关损耗
低 VCEsat
Tvj op = 150°C
VCEsat 带正温度系数
绝缘基板
标准封装
优势
灵活性
优化电气性能
可靠性高
潜在应用
电机控制和驱动
不间断电源(UPS)
指标参数 FF系列型号列表
Parametrics FF75R12RT4 Configuration Dual Dimensions (length) 94.0 mm Dimensions (width) 34.0 mm Housing 34 mm IC(nom) / IF(nom) 75.0 A IC max 75.0 A Qualification Industrial Technology IGBT4 - T4 VCE(sat) (Tvj=25°C typ) 1.85 V VF (Tvj=25°C typ) 1.7 V Voltage Class 1200.0 V 图片 型号 电压 技术 电流 VCE(sat) Tvj=25°C typ VF Tvj=25°C
typ封装结构 长宽 宽度 
DF150R12RT4 1200 V IGBT4 - T4 150 A 1.75 V 1.75 V 34 mm 94 mm 34 mm FD150R12RT4 1200 V IGBT4 - T4 150 A 1.75 V 1.75 V 34 mm 94 mm 34 mm FF150R12RT4 1200 V IGBT4 - T4 150 A 1.75 V 1.75 V 34 mm 94 mm 34 mm FF100R12RT4 1200 V IGBT4 - T4 100 A 1.75 V 1.75 V 34 mm 94 mm 34 mm FF75R12RT4 1200 V IGBT4 - T4 75 A 1.85 V 1.7 V 34 mm 94 mm 34 mm FF50R12RT4 1200 V IGBT4 - T4 50 A 1.85 V 1.75 V 34 mm 94 mm 34 mm BSM75GB60DLC 600 V IGBT2 Low Loss 75 A 1.95 V 1.25 V 34 mm 94 mm 34 mm BSM200GB60DLC 600 V IGBT2 Low Loss 200 A 1.95 V 1.25 V 34 mm 94 mm 34 mm BSM150GB60DLC 600 V IGBT2 Low Loss 150 A 1.95 V 1.25 V 34 mm 94 mm 34 mm BSM100GB60DLC 600 V IGBT2 Low Loss 100 A 1.95 V 1.25 V 34 mm 94 mm 34 mm BSM50GB60DLC 600 V IGBT2 Low Loss 50 A 1.95 V 1.25 V 34 mm 94 mm 34 mm
