产品属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
制造商编号：BSM75GB170DN2
说明：IGBT 模块 N-CH 1.7KV 110A
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 110 A
封装 / 箱体: 32 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 30.5 mm 
长度: 94 mm 
技术: Si 
宽度: 34 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极最大电压: 20 V 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 10 
子类别: IGBTs 
零件号别名: BSM75GB170DN2HOSA1 SP000100464 BSM75GB170DN2HOSA1 
单位重量: 250 g